突破芯片封装核心技术，南通通富微电喜获国家科技进步一等奖

来源: 南通发布 发布时间：2021-11-04 字体：[ 大 中 小 ]

11月3日上午，2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行，南通市知名企业通富微电作为主要完成单位、总裁石磊作为主要完成人的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目，喜获国家科技进步一等奖。

通富微电一直致力于集成电路封装技术研发，此次获奖项目内容之一是针对高密度芯片封装工艺中焊点易桥连和界面易损伤难题，提出倒装铜柱凸点高密度键合技术，发明原位微米级栅线投影翘曲测试方法，研制基材与布线密度匹配、磁性载具与回流曲线优化的低应力倒装焊接工艺，也是目前国际唯一突破7纳米9芯片64 核 CPU 芯片封装核心技术，产品成品率达 99.8%。

电子封装技术创新，是摆脱我国集成电路产业发展困境的重要突破口。通俗来说，电子封装被誉为芯片的“骨骼、肌肉、血管、神经”，是提升芯片性能的根本保障。随着芯片越来越小，密度越来越高，高密度芯片封装容易出现翘曲和异质界面开裂，导致成品率低和寿命短等产业共性难题。通富微电坚持产业报国，矢志不渝地赶超世界先进水平，为国家信息安全自主可控贡献力量。此次获奖项目解决了电子封装行业知识产权“空心化”和“卡脖子”难题，占领了行业技术制高点，实现了高密度高可靠电子封装从无到有、由传统封装向先进封装的转变，具备国际竞争能力。同时，带动封装成套装备、材料和工艺创新发展，经济和社会效益重大。

作为该获奖项目的第二完成人，通富微电总裁石磊自2012年起参与该项目开发，带领通富微电与华中科技大学和武汉大学等国内重点高校、国内主要晶圆制造商共同合作研发，经“产学研用”校-所-企联合攻关，突破了高密度高可靠电子封装技术瓶颈。在晶圆级封装技术、国产CPU/GPU及国产存储器封装测试技术方面进行攻关并取得重大突破，为国家打造自主可控的集成电路产业链做出贡献。

经多个专项项目实施的技术积累，通富微电建成了国内首条12英寸28纳米先进封装测试全制程生产线，实现批量生产，并实现7纳米CPU封装技术的突破，成功应用于国内某品牌手机，填补国内空白，达到世界一流技术水平。（来源：南通发布）